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INN700D240B 是一款高性能的 700V 增強(qiáng)型氮化鎵 (GaN-on-Si) 功率晶體管，特別采用了散熱性能更佳的 DFN 8mm x 8mm 封裝。這款器件基于前沿的硅基氮化鎵技術(shù)，旨在為功率電子領(lǐng)域帶來(lái)更高的效率和功率密度，特別適合對(duì)散熱和功率處理能力有更高要求的應(yīng)用場(chǎng)景。

作為常閉型（增強(qiáng)型）開(kāi)關(guān)，INN700D240B 提供了直觀且安全的柵極驅(qū)動(dòng)方式，與傳統(tǒng) MOSFET 類(lèi)似，簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)集成。其核心優(yōu)勢(shì)在于 GaN 技術(shù)帶來(lái)的極高開(kāi)關(guān)頻率能力，這使得配套的磁性元件和電容可以大幅小型化，顯著提升系統(tǒng)的功率密度。DFN 8x8 封裝相比更小尺寸的封裝，通常提供更低的熱阻和更優(yōu)的電流處理能力，有助于在更高功率或更嚴(yán)苛的散熱條件下保持穩(wěn)定運(yùn)行。

INN700D240B 的零反向恢復(fù)電荷 (Qrr=0) 特性，徹底消除了體二極管相關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗，是實(shí)現(xiàn)超高效率（如 >99%）硬開(kāi)關(guān)拓?fù)洌ㄈ鐖D騰柱 PFC）的理想選擇。同時(shí)，其低柵極電荷 (Qg) 和低輸出電荷 (Qoss) 進(jìn)一步降低了驅(qū)動(dòng)損耗和開(kāi)關(guān)損耗，確保在高頻工作時(shí)也能維持卓越效率。

該器件符合 JEDEC 工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，內(nèi)置 ESD 保護(hù)，并通過(guò) RoHS、無(wú)鉛和 REACH 認(rèn)證，確保了產(chǎn)品的高可靠性、耐用性及全球環(huán)保合規(guī)性。INN700D240B 是大功率 AC-DC/DC-DC 轉(zhuǎn)換器、高效圖騰柱 PFC、大功率快充、以及追求極致功率密度和高頻性能的電源系統(tǒng)的理想功率開(kāi)關(guān)解決方案。

INN700D240B_Datasheet_Rev. 1.0.pdf