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這時(shí)可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，這溶解部分接著可用溶劑將其沖走。這樣剩下的部分就與遮光物的形狀一樣了，而這效果正是我們所要的。這樣就得到我們所需要的二氧化硅層。最后，把顯影液噴灑到晶圓表面的光刻膠上，對(duì)曝光圖形顯影。對(duì)曝光后的晶圓進(jìn)行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤是的光化學(xué)反應(yīng)更充分。

組件層的制作非常像照相過(guò)程。雖然可見(jiàn)光譜中的光波不能用來(lái)曝光組件層，因?yàn)樗麄兲罅恕c芯片的結(jié)構(gòu)，由于尺寸限制，在IC上只能產(chǎn)生很小的電容。更為少見(jiàn)的電感結(jié)構(gòu)，可以制作芯片載電感或由回旋器模擬。